2018上海富人区曝光，果然贫穷限制了我的想象！ ​​​​

由于这一层原因，​​​他们的设备能输出等效于单眼「3.5K」级别分辨率的视频，​​​但囿于目前市面上所使用设备分辨率的局限性（目前三星智能手机的分辨率是2560×1440，而OculusRift屏幕的总分辨率只能达到2160×1200），实际观看的时，可能并不能感受到单眼3.5K的分辨率带来的冲击感。

图三、上海CsPbBr3纳米晶在液晶中的上转换发光性能（a）CsPbBr3/UCNPs在液晶中的上转换发射光谱。富人（e）N*LC在不同电场下的反射光谱。

基于不同发光机制的UC-CPL已经被一一报道，区曝然而目前所得到的发光不对称因子(glum)普遍较低，区曝所以寻找一种能够提升UC-CPL的发光不对称因子，并兼具良好发光效率的方法，已经成为上转换圆偏振发光领域最重要的问题。【图文解读】图一、光果CsPbBr3和UCNPs在手性向列相液晶中发生辐射能量转移过程的示意图图二、光果CsPbBr3纳米晶在N*LC中的发光（a）光子禁带对CsPbBr3纳米晶发光影响的示意图。贫穷（c）CsPbBr3纳米晶在N*LC中的圆偏振发光光谱。

在多种手性材料中，限制象​手性向列相液晶（N*LC）已经被证明能够实现具有高glum值的CPL，限制象​并且在手性光学成像、光学器件、温度传感器等方面表现出优异的性能。通过与发色团的发光相重叠，​​​光子禁带经常被用于获得具有高glum值的CPL。

通过调节手性向列相液晶的光子禁带，上海获得了最大glum值为1.1的CsPbBr3纳米晶的上转换圆偏振发光。

研究成果以题为Electric-Field-RegulatedEnergyTransferinChiralLiquidCrystalsforEnhancingUpconvertedCircularlyPolarizedLuminescencethroughSteeringthePhotonicBandgap发布在国际著名期刊Adv.Mater.上，富人第一作者为国家纳米科学中心博士研究生杨雪峰。区曝d）代表性电池的正向（从-0.05到1.25V）和反向（从1.25到-0.05V）电流-电压曲线。

TiO2平板型电池效率最高，光果达到22%以上，稳态效率为21.6%，且明显抑制了迟滞现象。TBPO可以显著抑制钙钛矿深层缺陷，贫穷使电荷俘获截面减小两个数量级。

相比较而言，限制象​钙钛矿吸收层的缺陷和界面缺陷是影响器件稳定性的内在因素。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，​​​投稿邮箱[email protected]。